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  • ZGF-120kv/5mA小直流高壓發(fā)生器

    ZGF-120kv/5mA小直流高壓發(fā)生器

    更新時間:2020-08-31

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    ZGF-120kv/5mA小直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF2000-60kv/5mA小直流高壓發(fā)生器

    ZGF2000-60kv/5mA小直流高壓發(fā)生器

    更新時間:2020-08-31

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    ZGF2000-60kv/5mA小直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF2000-120kv/5mA高壓直流發(fā)生器

    ZGF2000-120kv/5mA高壓直流發(fā)生器

    更新時間:2020-08-31

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    ZGF2000-120kv/5mA高壓直流發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF2000-300kv/2mA高壓直流發(fā)生器

    ZGF2000-300kv/2mA高壓直流發(fā)生器

    更新時間:2020-08-31

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    ZGF2000-300kv/2mA高壓直流發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF2000-120kv/5mA小直流高壓發(fā)生器

    ZGF2000-120kv/5mA小直流高壓發(fā)生器

    更新時間:2020-08-29

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    ZGF2000-120kv/5mA小直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF2000-200KV/5mA高壓直流發(fā)生器

    ZGF2000-200KV/5mA高壓直流發(fā)生器

    更新時間:2020-08-29

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    ZGF2000-200KV/5mA高壓直流發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF2000-120KV/3mA直流發(fā)生器

    ZGF2000-120KV/3mA直流發(fā)生器

    更新時間:2020-08-29

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    ZGF2000-120KV/3mA直流發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF2000-200KV/3mA直流發(fā)生器

    ZGF2000-200KV/3mA直流發(fā)生器

    更新時間:2020-08-29

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    ZGF2000-200KV/3mA直流發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

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